本发明公开了一种基于氟化
锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术，其特征在于，首先制备氟化锂缓冲层(6)，然后依次制备聚乙烯醇(701)/氟化锂(702)交替封装薄膜。本发明薄膜封装技术通过如下的步骤实现：①在有机半导体器件(5)之上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂缓冲层，其尺度适当，以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面，而其有机半导体活性层(3)被完全封装在里面；②在氟化锂缓冲层上用旋涂法制备聚乙烯醇封装层；③进行干燥处理；④在聚乙烯醇封装层上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂封装层；⑤重复上述步骤②-④，直至在氟化锂封装层上再制备第(N-1)层的聚乙烯醇/氟化锂交替薄膜(NO)；⑥在200℃温度下对封装器件加热2小时，对聚乙烯醇进行交联。
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“基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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