本实用新型涉及一种铌酸
锂光波导
芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在单晶硅基板上并包覆铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在二氧化硅包层上的金属电极；薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本实用新型利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
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来源：北方有色网
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