本发明涉及一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用，属于新能源及
新材料制备领域，具体涉及
太阳能电池薄膜制备领域。该制备方法采用单靶磁控溅射技术和快速热处理技术相结合制备
铜铟镓硒薄膜，整个制备过程无硒化步骤。制得的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿物相结构，可用作太阳能电池的光吸收层。本发明所述方法工艺简单，膜基附着性强、无需硒化处理、利于环保和节能、便于大面积生产。
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“Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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