本发明属于
新能源材料与器件领域,特别涉及一种半导体薄膜太阳电池的制备方法。提出一种以Cd2SnO4为透明导电层,n型CdS为窗口层,Zn2SnO4作为透明导电层和窗口层之间的缓冲层材料,p型CdS作吸收层的CdS同质结太阳电池结构,在此基础上,采用干法工艺制备出同质结的CdS太阳电池。即在硼硅或
铝硅玻璃上射频溅射透明导电层Cd2SnO4,随后射频溅射缓冲层Zn2SnO4,接下来,采用射频溅射法制备n型CdS作为窗口层,然后采用物理气相法室温沉积掺
铜CdS并后处理,获得p型CdS作吸收层,或者物理气相法直接在一定温度下生长p型掺铜CdS作吸收层,最后沉积金属电极,并接上引线。采用上述结构和工艺,可更好收集和利用太阳光,有效地对CdS进行p型掺杂处理,并消除晶格失配和界面态带来的影响,从而获得更高的光电转换效率。
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“硫化镉薄膜太阳电池及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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