本发明公开了用于大功率瞬态抑制二极管的氮化
铝基材及焊接方法，涉及半导体封装技术领域。本发明采用氮化铝基材作为导电框架，导电框架采用整面的氮化铝基材作为表面，进行镀
铜工艺制成焊接硅片管脚Pad；氮化铝基材的连接方式使用金手指，氮化铝基材的上部框架的折弯高度为加载
芯片高度加上
锡膏厚度之和的1.2倍；氮化铝基材的正面覆铜。本发明减少了芯片热击穿失效的概率，大幅度解决了瞬变过程中的高di/dt瞬态产生的电磁干扰EMI问题，提高了芯片与基板之间的绝缘性；采用氮化铝材料具有与芯片衬底Si相匹配的膨胀系数，降低了产品因膨胀系数差异的失效，在5G基站、新能源、电动汽车等应用场景具有很好的市场前景。
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“用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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