本发明公开了一种延续单一生长中心制备
碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶，可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象，经过多次延续单一生长中心后，碳化硅单晶中的成对反向螺位错会发生聚并湮灭，从而可以降低单晶中的内部缺陷密度。通过本发明方法，能够获得质量越来越好的低缺陷密度碳化硅晶体。本发明制备的碳化硅单晶可以更好地应用在航天、航空、航母等国防军工领域，也可广泛地应用在工业自动化、
新能源汽车、家电、5G通讯等民用领域。
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“延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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