本发明属于电力电子技术领域，具体为一种高效率高功率密度GaN全桥逆变器模块，包括控制器、第一GaN半桥电路(1)、第一电感(L1)、第一电容(C1)、第二GaN半桥电路(2)、第二电感(L2)、第二电容(C2)、输出电容C3、检测电路和反馈电路。本发明通过采用LGA封装的GaN HEMT器件实现全桥逆变器的高频化，进一步为提高功率等级采用多管并联结构，为提高可靠性采用双面布局结构对栅驱动电路、HEMT器件、电源母线和散热布局进行优化设计，从而实现逆变器模块的高频化和小型化，进一步实现高密度功率集成和高效率，可以广泛应用于各类新能源并网逆变系统中。
声明：
“高效率高功率密度GaN全桥逆变器模块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1060
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
