本发明公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜，包括交替沉积的TaWTiVMo高熵合金层和
氧化铝层；高熵合金层包括以下质量百分数的元素：28％～32％Ta，30％～36％W，15％～20％Ti，8％～13％V，余量是Mo，TaWTiVMo高熵合金层为体心立方结构；氧化铝层中有纳米空洞。本发明还公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜的制备方法。本发明利用高熵合金薄膜和Al2O3薄膜，制备纳米尺度的多层薄膜，二者形成的多层
复合材料增加了晶界密度，显著提升辐照环境下工作的电子设备元件的抗辐照性能。
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来源：北方有色网
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