本发明涉及高温结构陶瓷材料技术领域，且公开了一种超高温
陶瓷粉体表面原位生长SiC纳米线的方法。通过葡萄糖的水热反应在超高温陶瓷粉体表面制备一层碳涂层，再将上述含有涂层的超高温陶瓷粉体与Si和SiO2混合粉体置于管式炉中在流动氩气保护气氛下进行加热和保温，即可获得原位生长SiC纳米线的超高温陶瓷粉体。本发明利用Si和SiO2粉体在高温下反应生成的SiO气体与超高温陶瓷粉体表面的碳涂层原位反应生成SiC纳米线。这种方法可以在超高温陶瓷粉体中均匀地引入SiC纳米线，为SiC纳米线增强/增韧超高温陶瓷
复合材料提供了新途径。
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来源：北方有色网
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