本发明提供网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用，按照下述步骤进行：金属辅助化学刻蚀法刻蚀硅纳米线阵列、硅纳米线阵列的稀疏、粗糙化处理、氧化钨种子层的制备和网状氧化钨纳米线的水热生长。基于一维纳米线的层状
复合材料由于具有独特的高活性表面结构，非常适合于气体传感器，网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构因其特殊的异质结结构，增强了电导率以及载流子输运能力，所以在常温下对NO
2有较强的敏感响应。该结构可在常温下检测NO
2气体，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。
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“网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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