本发明公开了一种复合图形化衬底的制备方法，包括以下步骤：S1：制备蓝宝石基础衬底；S2：在S1步骤中制备的蓝宝石基础衬底表面固定支撑体，再在支撑体表面镀金属合金层，去除氧化膜，去除支撑体，即得空腔结构的蓝宝石衬底；S3：在蓝宝石衬底的空腔中填充纳米
复合材料，同时在金属合金层外表面形成AlN层；S4：在AlN层上进行光刻胶、坚膜以及两次ICP刻蚀处理；S5：清洗掉剩下的光刻胶，即得复合图形化衬底。本发明提出的制备方法简单、易操作，制得的复合图形化衬底晶体质量高，光的出射强，衬底整体的重量轻，生产成本低，基础衬底与GaN材料的温差小，晶体的性能稳定，晶格失配率低，MOCVD的使用效率高。
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来源：北方有色网
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