本发明涉及一种Si/C/Zr陶瓷前驱体及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明制备的Si/C/Zr陶瓷前驱体采用格式偶联反应方法制备，可将Si与Zr元素以原子水平同时引入到聚合物主链中，得到硅锆一体化聚合物，合成工艺简单易行，合成产率及产物纯度较高；本发明反应原料聚碳
硅烷中含Si-H键及C≡C键，热固性好，在一定的温度下可自身交联固化，且固化放热量小，固化失重低，工艺性好，且陶瓷产率高，可达60-70%；本发明Si/C/Zr陶瓷前驱体可用于超高温陶瓷基
复合材料浸渍基体，亦可用于Si/C/Zr陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备，具有广泛的用途。
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来源：北方有色网
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