本发明公开了一种高k栅介质材料及其制备方法，属于半导体 技术领域，尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的 应用领域，这种高k栅介质材料为氧化铒-
氧化铝(Er2O3-Al2O3， ErAlO)
复合材料，采用射频磁控溅射制备方法，溅射靶为Er2O3和 Al2O3混合陶瓷靶，在P型Si(100)衬底上制备得到ErAlO非晶栅介质 复合氧化物薄膜，经检测，本发明的ErAlO薄膜具有良好的热稳定 性、良好的平整度和低的漏电流密度，可取代SiO2成为一种新型高k 栅介质材料。
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来源：北方有色网
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