本发明涉及聚吡咯包覆的
碳纳米管复合热电材料的制备方法，特别是在以过硫酸铵作为氧化剂的情况下，吡咯通过原位氧化聚合对碳纳米管包覆形成复合热电材料的制备方法。本发明的制备方法是以廉价易得的吡咯单体和性质稳定的碳纳米管为原料，以聚对乙烯苯磺酸钠（PSSNa）为表面活性剂，1,5-萘二磺酸为掺杂剂，过硫酸铵为氧化剂，以水为溶剂，在室温下通过吡咯的原位氧化聚合得到高效率合成碳纳米管/聚吡咯复合热电材料。本发明克服了纯导电高分子聚吡咯的本征低电导率和碳纳米管的高热导率等缺点，充分利用聚吡咯的低热导率和碳纳米管高电导率的特点，通过将两者有机复合，提供一种操作简单、绿色环保，反应温度低，组分分散均匀性好的聚吡咯包覆碳纳米管的高热电性能
复合材料制备新方法。
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“聚吡咯包覆碳纳米管的复合热电材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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