本发明公开了一种氧化
石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法。该方法首先将氧化石墨烯超声分散到水和乙醇中，然后加入氨水和催化剂，并缓慢滴加硅源单体，在30‑80℃下搅拌反应2‑8小时，经洗涤、干燥，得到二氧化硅粒子均匀生长在氧化石墨烯表面的纳米杂化填料。该纳米杂化填料表面是由二氧化硅粒子形成的纳米突起，既能阻止氧化石墨烯片层间的堆叠，又能提高杂化填料的比表面积，有望显著改善杂化填料在聚合物基体中的分散状态和聚合物‑杂化填料之间的界面作用。因此，本发明在功能化填料和高性能
复合材料的制备领域均具有潜在的应用价值。
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“氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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