本发明属于传感器技术领域，具体为一种抗污染场效应晶体管传感器及其制备方法。本发明场效应晶体管传感器包括：绝缘衬底；在绝缘衬底上的
石墨烯层；在石墨烯层两端的源漏电极；在石墨烯表面生长的共价有机框架材料形成的复合薄膜，作为导电传感沟道层。检测时。将场效应晶体管置于测试溶液中，连接电学测试设备，向溶液中加入检测物，实时检测电流的变化。本发明填补了共价有机框架
复合材料在场效应晶体管传感器中应用的空白。这种传感器普适性好，反应装置简单，成本低，具有优异的抗污染性能，能够排除溶液中污染物的影响。
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来源：北方有色网
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