本发明涉及一种富含Si
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4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法，采用先驱体共混法将聚硼硅氮烷(PBSZ)和聚铪氧烷(PHO)按照一定体积比例混合，加入一定含量的
镍系催化剂的饱和乙醇溶液，然后经固化、裂解和高温热处理得到富含Si
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4纳米线的SiHfBCN陶瓷。Si
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4纳米线的直径小于50nm，长度在10μm‑200μm之间。Si
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4晶体的析出使SiHfBCN陶瓷对电磁波的响应从吸收或反射变为偏透过。铪元素的存在使Si
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4纳米线在1600℃依旧稳定存在，同时由于非晶相富含铪元素，因而此方法制备的SiHfBCN陶瓷也具有优异的抗烧蚀性能。本发明能够适用于
复合材料，可用作涂层或基体，充当电磁波阻抗匹配层，同时可有效提高其在超高温环境下的抗烧蚀能力。
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“富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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