本发明提供了一种Ag/ZnS纳米复合SERS基底，属于纳米
复合材料技术领域，本发明引入了具有较宽带隙的半导体ZnS与Ag接触，以修饰4‑巯基苯甲酸(4‑MBA)作为探针，通过调控半导体ZnS的带隙结构、表面缺陷态以及表面电子态等特性，调控激发波长得到SERS效应，来探究模型中的光电性质。金属表现出占据最高费米能级的自由电子向吸附分子传输电荷的特性以及大量的结合电子部分，都得以改变自由电子的光学特性。半导体能带与分子能级之间的相互作用会导致新的电荷转移行为产生。这些光电特性都为我们的研究提供了良好的佐证，更好的理解SERS增强机制中界面处的电荷转移过程。
声明：
“Ag/ZnS纳米复合SERS基底及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
873
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
