本发明属于磁电传感器技术领域，涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，所述磁电薄膜传感器由磁电
复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的
铜线圈构成，多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n
+型半导体层、p
+型半导体层、第一金属接触层、第二金属接触层、第一输出电极、第二输出电极、绝缘层、两个磁致伸缩层和压电层。本发明中n
+型半导体层、p
+型半导体层和磁致伸缩层分别作为MOS管的源极、漏极和栅极，栅极电压变化引起MOS管内沟道感应电荷量变化，导致其导电沟道变宽，此时MOS管由截止状态工作在放大（即可变电阻区）状态，实现磁电电压的自放大功能，可用于较低信噪比环境下弱磁场的高灵敏度探测。
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“具有自放大能力的磁电薄膜传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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