本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种红光Micro‑LED
芯片及其制作方法，该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹；第一钝化层由Fe2O3@SiO2
复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
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“红光Micro-LED芯片及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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