本发明提供了一种MEMS电容式压力传感器及其制备方法。本发明的一种MEMS电容式压力传感器包括:静电极结构，感压膜片动电极结构，密闭空腔结构，初始参考电容电极结构和电极信号接口。本发明的一种MEMS电容式压力传感器制备方法，静电极位于SOI硅片的绝缘层上，防止电容式压力传感器受外界信号干扰；采用SOI硅片腐蚀硅到自停止层，以使感压膜片动电极厚度控制精确，表面形貌平整；在密闭空腔底部淀积二氧化硅以防止电容式压力传感器在过压条件下发生短路现象；淀积
复合材料薄膜防止水汽干扰性能，使制作出的器件具有抗干扰能力强、稳定性好、零点漂移低、精度高、密封效果好等特点，工艺简单，与传统工艺相比，提高了器件的成品率。
声明：
“MEMS电容式压力传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1045
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
