界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和
碳化硅陶瓷材料的脆性较大，易断裂的技术问题。本方法如下：一、陶瓷浆料的制备；二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带；三、制备Si3N4/SiC片层
复合材料生坯；四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中，界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长，大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来，产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa，收缩率﹤15％，同时，其韧性可到16MPa·m1/2以上，完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2，材料的断裂预警明确，具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。
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来源：北方有色网
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