本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法，属于
复合材料技术领域。包括以下步骤：制备
碳纳米管；在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO
2；进行真空高温烧结，生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO
2的方式，不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构，可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆，从而规避了其他传统沉积方式的弊端，而且沉积Ti/TiO
2的前驱体源很丰富，选择性更高。原位生长TiC纳米管不仅有利于充分发挥碳纳米管阵列结构的特性，而且可以充分发挥TiC的电学和机械性能，拓宽了TiC纳米管在器件中的应用。
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来源：北方有色网
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