本发明公开了一种钼基
碳纳米管电子封装材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，钼粉提纯，将钼粉在氢气炉内进行高温还原以祛除表面的氧化层，步骤2，磁控溅射，所用靶材为
铜或者铬，步骤3，碳纳米管生长，将步骤2中表面已经溅射铜，铬催化剂的钼粉，放入CVD炉内进行碳纳米管生长，步骤4，热压，将拓扑结构的钼与碳纳米管的
复合材料，在热压炉内尽心热压烧结，将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料，在热压炉内尽心热压烧结。采用碳纳米管进行复合的方法，解决了现有技术中制备的封装材料热导率不高和孔隙率高的缺点。
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“钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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