本发明属于半导体
复合材料领域，公开一种用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及其制备方法和应用。本发明主要是建立在不同电极效应下的掺铌SrTiO3单晶形成的，通过引入不同的电极Ag和Au以及不同的测试方法，进而使得掺铌SrTiO3单晶上电阻开关与选择器效应共存。该器件由下到上依次包括底电极层、SrTiO3掺Nb单晶层、顶电极层，底电极层为Ag，顶电极层为Ag或Au。
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“用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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