本发明涉及一种半导体热处理真空炉热场结构,包括:热场箱,位于真空炉内,包括箱体及箱盖,箱体一侧开口与箱盖密合,箱体与箱盖均为保温碳毡材料;设置在热场箱底部的炉床;装载台放置在炉床上,包括两侧壁,侧壁上平行设有若干用于放置工件的凹槽;加热器,设置在装载台上方和/或下方,与外部电极连接。本发明通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料,并在箱体出口的边缘、箱盖和风窗处除了喷涂耐高温涂料外,还包裹一层碳碳
复合材料,增强了热场箱的防氧化效果,增加了其使用寿命,提高了保温效果;通过上下设置的加热器中并排设置的加热棒对工件进行均衡加热,不仅缩短加热时间,且提高了热处理效果,减少了能耗,降低了成本。
声明：
“半导体热处理真空炉热场结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
909
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
