本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高
碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的开启场强，提高CNT的场发射电流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分，具有较好的机械性能，在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用，提高CNT场发射性能的稳定性；该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC
复合材料的阵列结构，并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料，便于实际应用。
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“利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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