一种基于CuO/In
2O
3修饰的
石墨烯MEMS气体传感器的制备方法，它属于气体敏感型传感器领域。该方法包括：一、纳米CuO的制备；二、纳米In
2O
3的制备；三、rGO‑CuO/In
2O
3的制备；四、AlN陶瓷基板的制备；五、银叉指电极的制备；六、
铜加热电极的制备；七、单晶硅衬底的制备；八、气敏材料的涂敷。本发明通过分步式制备单一材料，一步超声水热制备
复合材料的方法得到rGO‑CuO/In
2O
3气敏材料，此方法可以杜绝一步混合制备石墨烯基复合材料过程中所导致的中间产物残留等问题，使所制备的复合材料中单一材料间的比例可控且更为精确。同时辅以全新设计的复合多层式传感器
芯片结构，使其在极小的体积，极低的功耗条件下也能有出色的工作性能，兼具自动化程度高，集成性好等优势。
声明：
“基于CuO/In2O3修饰的石墨烯MEMS气体传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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