本发明提供了一种含有
贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构
复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。
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“含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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