本发明涉及一种低温SiC纤维表面石墨界面的制备方法，属于核燃料包壳管制备领域。本发明的目的是为了解决现有制备SiC
f/SiC
复合材料采用的PyC界面在高剂量中子辐照后，界面发生退化，界面处产生裂缝，导致材料力学性能和导热性能降低等问题，提供一种低温SiC纤维表面石墨界面的制备方法；该方法首先在SiC纤维预制体表面沉积PyC界面，然后通过强磁场及加热实现PyC界面的石墨化，在维持SiC纤维原有力学性能的同时提高SiC
f/SiC复合材料的高温抗中子辐照能力。本发明利用强磁场辅助加热使PyC界面石墨化，降低石墨化温度，可避免高温加热对SiC纤维的损伤，防止SiC纤维晶粒长大，保持SiC纤维力学强度，也会保证SiC
f/SiC复合材料的力学性能。
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“低温SiC纤维表面石墨界面的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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