本发明公开了一种非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法，(一)取一定量的原料Si粉和SiO2粉进行球磨处理：(二)然后取经球磨处理并烘干的Si粉和SiO2粉，按Si∶SiO2＝1∶1.2～1.5放入玛瑙研钵中研磨，使其充分混合；(三)对C/C
复合材料基片进行加催化剂处理，并将经研磨混合后的Si粉和SiO2粉混合粉体、C/C复合材料基片及碳布放入石墨反应室中；(四)再将此石墨反应室放入石墨加热体的立式真空炉中；(五)将炉温升至900～1000℃，抽真空使炉内压力为400torr左右；(六)再将炉温升至1200～1300℃时，通C3H6气体5～10分钟后，再保温10～20分钟，关电源自然冷却至室温。由于采用了气相化学反应法，所以合成工艺简单，合成所需温度较低，并有利于规模化生产。
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来源：北方有色网
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