本发明涉及一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1‑mN的方法。具体地，本发明公开了一种
复合材料以及所述复合材料的制备方法和应用。所述复合材料所包含的外延薄膜的位错密度、薄膜裂纹密度和薄膜表面粗糙度得到综合改善，因此可获得晶体质量、薄膜完整性和表面形貌平衡提升的复合材料，同时，基于这种复合材料可以大大缩短外延
芯片的生长时间，全面提升包含所述复合材料的光电器件或功率器件的性能和产率。所述方法具有工艺简单、成本低、产品良率高等特点。
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“基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1‑mN的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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