本发明涉及
新材料领域旨在提供一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法。该金属氧化物的分子式为Gd
0.4Er
0.3La
0.4Nd
0.5Y
0.4)(Zr
0.7,Sn
0.8,V
0.5)O
7；其外观呈粉体状，微观结构显示为边长4～12nm、厚度1～3nm的正方形纳米片。相对于现有的高熵氧化物，本发明的产品具有高导电的特点，能够在导电合金、电接触
复合材料、导电复合材料、多功能生物基复合材料、导电/抗静电功能复合涂层等方面得到更好的应用。
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“高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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