本发明涉及一种SiC纳米线和SiC?MoSi2?CrSi2涂层共生长的制备方法，利用包埋法在C/C
复合材料表面制备了SiC纳米线和SiC?MoSi2?CrSi2涂层。将密度为1.63～1.75g/cm3的C/C复合材料试样清洗后烘干备用；配制一定比例的包埋粉料，放置于全程开氩气保护真空加热炉中。最终制得C/C?SiC纳米线/SiC?MoSi2?CrSi2涂层复合材料。本发明采用过渡涂层和纳米线共生长的方法可以来缓解涂层之间的热膨胀失配问题，提高陶瓷涂层的韧性，降低陶瓷涂层的开裂趋势，最终提高涂层的抗氧化性能。与传统的纳米线增韧或者用过渡涂层来缓解热应力失配，提高结合力相比，且一次制备过程能降低材料多次制备过程中受热破坏，提高陶瓷涂层的韧性，降低陶瓷涂层的开裂趋势，提高陶瓷涂层的抗氧化能力。
声明：
“SiC纳米线和SiC-MoSi2-CrSi2涂层共生长的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
708
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
