揭示了一种耐火物质的化学气相渗填(CVI)方法,尤其是等温等压的CVI方法,尤其是碳(C)和
碳化硅(SiC)的CVI方法,所述方法基于在多孔结构内的扩散,其中在给定的反应区内温度下,设定气体压力或气体中所含离析气体的分压、以及气体在反应区内的停留时间,以使得在用来形成固相的气相和挥发性化合物产生饱和吸附的压力或分压区域内在多孔结构中发生离析反应.饱和吸附指升高气体压力或离析气体分压时离析速度保持基本恒定,限制离析气体的反应以使得当离析气体流经反应区时,离析气体所提供的用来形成固相的组分中不超过50%作为固相离析到多孔结构中。使气流穿过宽度基本相同、为1—50毫米的狭缝从底部到顶部直线型流经多孔结构。
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“耐火物质、尤其是碳和碳化硅的化学气相渗填方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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