本发明涉及电荷存储材料技术领域，具体涉及一种电荷存储聚合物基
复合材料的制备方法，通过
半导体材料带隙调控提高了电荷存储聚合物材料的电荷储存能力。所述方法包括以下步骤：步骤一、将电荷存储聚合物溶解后配制成对应的聚合物溶液，按照半导体材料的添加量是电荷存储聚合物的万分之一至万分之五，将半导体材料添加至所述聚合物溶液中超声分散均匀后，得到复合溶液；步骤二、将复合溶液涂敷在基底上，将基底放于马弗炉中烘烤，温度范围为80℃到400℃，烘烤至溶剂全部挥发完毕，冷却后揭膜得到复合膜备用；步骤三、将得到的复合膜极化处理得到复合的电荷存储材料。本发明制备方法简单，且提升电荷存储材料电荷密度效果明显。
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来源：北方有色网
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