一种
铝基
碳化硅高密度封装半导体
复合材料，包含如下步骤：制备SiC复合浆料，首先使用SiC微粉配制得到固含量为30‑70%的SiC浆料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd为（50‑60）∶（0.3‑0.6）∶1：（0.02‑0.05）的质量比加入金粉和银粉和钯粉，混合均匀，得到SiC复合浆料；流延成型，对得到的SiC复合浆料除泡混合均匀后，进行流延得到SiC复合流延膜；流延膜素烧，对得到的流延膜进行素烧，得到SiC复合素坯；真空烧结，将SiC符合素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。本发明的有益效果：通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝，工艺简单，得到的产品成分分布均匀，气孔率低，半导体性能优越，且通过引入金、银和钯粉，充分改善烧结性能，进一步降低烧结温度，节能环保。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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