本发明公开了一种应用于多
芯片T/R组件封装壳体的高硅
铝复合材料的镀金方法，该方法的前处理按常规
铝合金电镀二次浸
锌处理方法分为清洗除油、碱蚀、出光、一次浸锌、退锌和二次浸锌六个步骤；之后的操作步骤如下：1.在化学镀
镍液中预镀化学镍；2.按常规镀镍方法第一次镀镍，镍层厚度2~3微米；3.时效处理；4.活化处理；5.按常规镀镍方法第二次镀镍，镍层厚度2~3微米；6.以纯金板或铂金钛网作为阳极，高硅铝复合材料为阴极，按常规镀纯金的方法，金层厚度2~3微米；7.镀层结合力检测。10倍放大镜下观察镀层无起皮鼓泡现象，镀层结合力很好。
声明：
“应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1010
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
