本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良,适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用
复合材料基板:通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使
铝合金或纯铝浸渗多孔体,裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后,在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层,使得金属层厚度达到0.5-15μm,所述多孔体由选自
碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、
氧化钇及氧化镁中的1种以上形成,气孔率为10-50体积%,3点弯曲强度为50MPa以上。
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“用于LED发光元件的复合材料基板、其制造方法及LED发光元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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