本发明属于有机‑无机杂化
半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化
复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能
光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。
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“反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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