本发明提供一种基于光敏
复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置，涉及晶圆级三维异质集成封装工艺技术领域，包括：步骤S1：在硅基衬底上制作正面保护膜和背面保护膜；步骤S2：在硅基衬底的背面制作波导金属侧壁，形成TSV盲槽；步骤S3：在硅基衬底的正面制作转接结构的背腔结构，并填充光敏复合材料；步骤S4：在背腔结构上方制备介质掩膜层，并在顶层介质层上方制作顶层金属图案；步骤S5：利用光刻掩膜与干法刻蚀进行体硅刻蚀并划片，得到完整转接结构。本发明能够极大缩减射频系统的整体尺寸，在实现小型化的同时提供了波导输出接口，提升互连自由度与灵活度。
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“基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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