本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基
复合材料，由增强纤维，SiC纳米线，界面层和SiC基体组成；其特征在于SiC纳米线原位生长在增强纤维上，界面层包覆在增强纤维和SiC纳米线表面，SiC基体填充在增强纤维和SiC纳米线围成的间隙中；所述的增强纤维为C纤维或SiC纤维；所述的SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；所述的界面层为PyC或BN，厚度为0.02~0.1μm。本发明有效地解决了SiC纳米线在纤维预制体内较难均匀分布的问题，同时通过原位生长SiC纳米线充分发挥了SiC纳米线对SiC陶瓷基复合材料的优势等。
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来源：北方有色网
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