本发明提供了一种单质硅颗粒锚定在氮掺杂
石墨烯轴向平面内部的纳米
复合材料的制备方法及其产品，首先通过配位化合物原位生长的方式构建硅的配体框架化合物，接着采用将配位化合物与氮源和碳源共混后在高温下煅烧的方式从而得到硅纳米颗粒锚定在石墨烯片轴向平面的纳米复合材料。该方法制备出的复合材料呈现三维结构，硅纳米颗粒分散并且嵌入在石墨烯类材料的内部，硅与氮的共掺杂致使石墨烯材料的带隙结构有效打开，得到的材料具有半导体的性质。它实现了单质硅纳米颗粒和氮原子以及石墨烯材料的有效结合，其独特的结构有利于电子在界面间的快速迁移，因而在催化、能量储存、光电器件和传感器等众多领域具有广阔的应用前景。
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“单质硅颗粒锚定在氮掺杂石墨烯轴向平面内部的纳米复合材料的制备及产品” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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