本发明公开了一种基于p‑6p/C8‑BTBT
复合材料的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）为p‑6p/C8‑BTBT复合材料，在绝缘层（2）表面上覆盖p‑6p层（31），在p‑6p层上结晶C8‑BTBT层（32），形成有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀p‑6p/C8‑BTBT复合材料；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管提高了OFET管性能，且能降低OFET管制备难度，制备工艺简单；本方法发明克服了现有技术用高纯度有机
半导体材料制备OFET管的技术偏见，在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。
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“基于p‑6p/C8‑BTBT复合材料的OFET管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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