本发明提供了一种混杂基体SiCf/SiC
复合材料及其制备方法，所述方法包括：对SiC纤维预制件进行预处理，并在SiC纤维预制件的表面沉积一层PyC界面层或BN界面层；将沉积界面层的SiC纤维预制件放置在SiC沉积炉中，以氢气鼓泡三氯甲基
硅烷作为源气，氩气为稀释气体，得到沉积有CVI SiC基体的中间体；将中间体真空浸渍在聚碳硅烷溶液中，得到PIP SiC基体，同时重复PIP循环周期5~6次，即得混杂基体SiCf/SiC复合材料。本发明方法显著降低了制备复合材料的闭孔率，提高了其致密度以及显微组织均匀性，其力学性能、性能稳定得到了显著提高。
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“混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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