本发明提供了一种低介电损耗
碳化硅纤维增强陶瓷
复合材料的制备方法，包括以下步骤：SiC@SiO2核壳结构的制备、表面沉积氧化镧薄膜的SiC@SiO2核壳结构的制备、低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备。本发明还提供了上述方法制得的低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料。本发明提供的低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料，通过在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纤维大大提高了材料的韧性，利用碳化硅纤维制得SiC@SiO2核壳结构，降低了碳化硅纤维的介电参数，同时在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，进一步降低了碳化硅陶瓷的介电参数，提高了绝缘性；同时SiC@SiO2核壳结构表面沉积氧化镧薄膜，氧化镧薄膜能有效提升纤维的抗氧化性能，减少由纤维氧化带来的强度损伤化镧，还可以降低配合料熔制过程中氧化硼化合物的挥发量。
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“低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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