本发明属于导电复合陶瓷领域，涉及一种导电氮化钛/氮化硅纳米
复合材料的制 备方法，其特征在于低温液相条件下以四氯化钛(TiCl4)和四氯化硅(SiCl4)为原 料，在-50℃～20℃温度范围，二者同时被还原，直接得到TiN/Si3N4共沉淀型复合 粉体；该复合粉体能够在氮化硅微米或亚微米颗粒的表面形核，直接制备出由纳米 TiN和纳米Si3N4共同包覆的复合粉体。通过控制纳米复合粉末中TiN的含量，能 够获得满足电火花加工(EDM)的纳米导电复合材料。本发明制备的氮化钛/氮化 硅纳米复合材料成分均匀，颗粒细微，而且工艺简便，能耗低，具有推广前景。
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来源：北方有色网
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