本发明公开一种银纳米线杂化填料的制备方法及使用该填料的
复合材料，属于导热复合材料技术领域。银纳米线杂化填料的制备包括如下步骤：步骤S1，采用高温剥离法对氮化硼进行改性处理，制得氧化氮化硼；步骤S2，以硝酸银、氧化氮化硼为前驱体，多元醇为还原剂，并添加表面活性剂和辅助剂，采用溶剂热法制得银纳米线杂化填料。本发明制备的银纳米线杂化填料具有类核壳结构，在银纳米线表面包覆有一层氮化硼片层，将其作为填料掺入聚合物基体时，由于杂化填料的协同效应，在聚合物基体中易形成三维导热通路，提高导热率，另外外层氮化硼相当于导热绝缘层，一定程度上降低了复合材料的导电率，改善复合材料的介电性能。
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“银纳米线杂化填料的制备方法及使用该填料的复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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