本发明公开了一种混合价态
锡基氧化物
半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为
太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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“混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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