本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种
钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。制备方法包括：将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，控制沉积腔温度；低温原子层沉积制备
氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器。本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。
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来源：北方有色网
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